掃描電鏡的樣品尺寸限制是什么

掃描電子顯微鏡（SEM）?的樣品尺寸限制主要受到以下幾個因素的影響：

掃描電鏡中的焦深如何影響圖像質(zhì)量？

在掃描電子顯微鏡?（SEM）中，焦深（Depth of Field，DOF）是指電子顯微鏡能夠清晰成像的樣品表面區(qū)域的深度范圍。

掃描電鏡（SEM）?對樣品表面粗糙度的敏感度較高，尤其在觀察較小的細節(jié)和表面特征時。

掃描電鏡（SEM）?非常適合用于觀察樣品的表面缺陷，尤其是在納米級別的缺陷上。掃描電鏡通過電子束與樣品表面相互作用生成圖像，可以清晰地顯示出表面形貌、微小裂紋、氣孔、腐蝕痕跡、加工痕跡等缺陷。

掃描電鏡（SEM）?與樣品的電導(dǎo)性密切相關(guān)。樣品的電導(dǎo)性會影響電子束與樣品表面相互作用的方式，從而影響成像質(zhì)量和樣品的觀察效果。

在掃描電鏡（SEM）?中，電荷積累是指電子束照射到非導(dǎo)電樣品表面時，電子無法從樣品表面逸出，導(dǎo)致表面帶電，影響圖像質(zhì)量和分析結(jié)果。

在掃描電鏡（SEM）中，樣品的觀察角度對成像質(zhì)量和樣品的分析結(jié)果有重要影響。

掃描電鏡（SEM）中的真空環(huán)境對樣品的影響是一個重要因素，因為掃描電鏡在工作時需要在高真空或超高真空環(huán)境下進行成像。