掃描電鏡中的“電荷積聚”現象怎么解決？
日期：2025-05-12
掃描電鏡（SEM）中的“電荷積聚”（Charging）現象是指非導電樣品在電子束照射下無法及時釋放電荷，導致電子在樣品表面積累，從而引起圖像漂移、畸變、亮斑或黑斑等問題。
為了解決電荷積聚問題，可以采用以下方法：
1. 樣品導電處理
金屬噴鍍：在樣品表面噴鍍一層金、鉑、碳等導電材料（常用金屬蒸發或離子濺射方式），形成導電路徑。
碳膜覆蓋：使用碳膠、導電碳膜覆蓋樣品表面，尤其適用于生物樣品或易受熱損傷樣品。
2. 使用低真空模式（Low Vacuum / Variable Pressure）
開啟低真空/環境電鏡模式，使腔室中保留一定氣壓（如水蒸氣或氮氣），電離氣體可中和樣品表面多余電荷，降低積聚效應。
3. 降低加速電壓
減小電子束的穿透深度和積聚量，例如將加速電壓從 20?kV 降至 5–10?kV，可減少電荷注入和局部積累。
4. 減少束流強度
調整光闌或探針電流，減小電子束流密度，延緩電荷積聚速度。
5. 縮短掃描時間
使用快速掃描模式，縮短電子束停留時間，從而減小電荷積累。
6. 使用導電膠或導電帶固定樣品
將樣品固定在導電載臺上時，用導電膠或銅膠帶連接樣品與樣品臺，確保接地通暢。
7. 樣品傾斜或局部避開照射中心
輕微傾斜樣品可改變電荷積聚方向；避開過度集中照射區域也能減少局部充電。
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作者：澤攸科技