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掃描電子顯微鏡（SEM）的成像過程主要依賴于聚焦電子束掃描樣品表面，并通過探測(cè)產(chǎn)生的電子信號(hào)來構(gòu)建圖像。具體來說，成像過程涉及以下關(guān)鍵步驟：

1. 電子束的產(chǎn)生與加速

SEM 采用電子槍（Electron Gun）生成電子束，通常有兩種類型：

熱發(fā)射電子槍（Tungsten Filament, LaB?）：通過加熱燈絲產(chǎn)生電子，成本低但亮度較低。 

場(chǎng)發(fā)射電子槍（FEG, Field Emission Gun）：利用電場(chǎng)發(fā)射電子，亮度高，適用于高分辨率成像。 

電子槍產(chǎn)生的電子通過 加速電壓（1-30kV） 加速，提高電子的動(dòng)能。

2. 電子束的聚焦與掃描

電子束經(jīng)過一系列 電磁透鏡（聚光鏡、物鏡）聚焦成一個(gè)極細(xì)的束斑（nm 級(jí)），并由掃描線圈控制電子束沿行掃描和列掃描移動(dòng)，以逐點(diǎn)方式照射樣品表面。

掃描方式：光柵掃描（Raster Scan），即電子束按行列順序依次掃描樣品表面。 

影響分辨率的因素： 束斑大小：束斑越小，分辨率越高。 

掃描步長(zhǎng)：步長(zhǎng)越小，成像精度越高，但掃描時(shí)間增加。 

3. 電子-樣品相互作用

當(dāng)高能電子束撞擊樣品表面時(shí)，會(huì)發(fā)生多種電子散射與輻射現(xiàn)象，產(chǎn)生不同類型的電子和光信號(hào)，這些信號(hào)用于成像：

信號(hào)類型特點(diǎn)用途

二次電子（SE, Secondary Electrons） 低能量（<50 eV），來自表面 表面形貌成像（高分辨率，適合觀察微觀形貌） 

背散射電子（BSE, Backscattered Electrons） 高能量（>50 eV），來自較深層 材料對(duì)比（原子序數(shù)越高，BSE 產(chǎn)額越大，亮度越高） 

特征 X 射線（EDS, X-ray） 由內(nèi)殼層電子躍遷產(chǎn)生 元素分析（能譜分析 EDS） 

俄歇電子（AES, Auger Electrons） 超低能量（<10 eV） 表面成分分析（極表面敏感） 

4. 信號(hào)探測(cè)與圖像形成

二次電子探測(cè)器（Everhart-Thornley Detector, ETD）：用于檢測(cè) SE 信號(hào)，生成高分辨率表面形貌圖。 

背散射電子探測(cè)器（BSE Detector）：用于檢測(cè) BSE 信號(hào)，可區(qū)分不同材料的成分對(duì)比。 

X 射線探測(cè)器（EDS Detector）：用于檢測(cè)特征 X 射線，進(jìn)行元素成分分析。 

探測(cè)器收集電子信號(hào)后，轉(zhuǎn)換為灰度值，再由計(jì)算機(jī)處理并生成 SEM 圖像。

5. SEM 圖像的形成

圖像是根據(jù)電子信號(hào)的強(qiáng)弱構(gòu)建的灰度圖像：

二次電子圖像（SEI）：表面細(xì)節(jié)突出，適合形貌觀察。 

背散射電子圖像（BSEI）：用于成分對(duì)比，高原子序數(shù)區(qū)域亮，低原子序數(shù)區(qū)域暗。 

掃描時(shí)間、加速電壓、束流大小等參數(shù)的調(diào)整會(huì)影響成像效果。

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