澤攸科技ZEL304G電子束光刻機（EBL）采用場發(fā)射電子槍，配合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實現(xiàn)對半導體晶圓的高速、高分辨光刻。該系統(tǒng)標配高精度激光干涉樣品臺，允許用戶實現(xiàn)大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半導體、微電子、光子、量子研究領域發(fā)揮重要作用。

產(chǎn)品特色

▲ 激光干涉樣品臺：先進的激光干涉樣品臺，滿足大行程高精度拼接和套刻需求

▲ 場發(fā)射電子槍：高分辨場發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證

▲ 圖形發(fā)生器：在保證超高速掃描的同時實現(xiàn)超高分辨率圖案繪制

樣品臺指標

▲ 標配：激光干涉樣品臺

▲ 樣品臺行程：≥105 mm

▲ 拼接精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）

▲ 套刻精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）

電子槍及成像指標

▲ 肖特基場發(fā)射電子槍：加速電壓20V~30kV；旁側(cè)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)電子探測器

▲ 圖像分辨率：≤1 nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1 kV

▲ 束流密度：> 7000A/cm2；電子束流≥100nA

▲ 最小束斑尺寸：≤2nm

光刻指標

▲ 電子束閘：上升沿<100ns

▲ 寫視場：≥500×500 um

▲ 最小單次曝光線寬：＜15nm（同時取決于工藝條件）

▲ 掃描速度：≥20MHz

圖形發(fā)生器參數(shù)

▲ 控制核心：高性能FPGA

▲ 停留時間最小增量：10ns

▲ 最大掃描速度：50MHz

▲ 圖形文件格式：GDSII、DXF、BMP等

▲ D/A分辨率：20位

▲ 法拉第杯束流測量：包含

▲ 支持的寫場大小：50um~500um

▲ 臨近效應校正：可選項

▲ 束閘支持：5V TTL

▲ 激光干涉位移臺：可選項

▲ 掃描方式：順序掃描（Z型）、循環(huán)掃描（S型）、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式

▲ 曝光模式：支持場校準、場拼接，支持套刻，支持多圖層自動曝光

▲ 外接通道支持：支持電子束掃描、工件臺移動、束閘通斷、二次電子檢測

選配附件

▲ 配套UPS不間斷電源

▲ 配套主動減震臺，最低自然頻率2Hz