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    化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)每一部工程作品都精雕細(xì)琢
    
    
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    等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
    
                        
    
                        
    多功能電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（CVD）是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)，主要借助微波或射頻的方法將目標(biāo)氣體進(jìn)行電離，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)在較低的溫度下進(jìn)行，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。
    
                        
    服務(wù)電話：400-966-2800
    
						
    服務(wù)手機(jī)：15756003283(微信同號)
    
                        
    
                        
    
                        
     
                        
                                                
                        
                    
    
                
    
            
    

        
    
    
    
    
    

    



    

    
    
    
        
    
           
    
	  
     
    
		
    
			
    
                            
    
                            
    
                            
      多功能電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（CVD）是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)，主要借助微波或射頻的方法將目標(biāo)氣體進(jìn)行電離，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)在較低的溫度下進(jìn)行，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。

      目前項目團(tuán)隊自主研發(fā)的CVD設(shè)備可在多種襯底上（如金屬、氧化物、半導(dǎo)體表面）直接生長以石墨烯為代表的各類新型二維材料，用于新材料、新器件的研發(fā)。工藝簡單廉價，且具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體生長工藝的兼容性。
      等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
    
                            
    
                        
    
		
    
	
    
                        
    
                            
    
							
    
                            
      
							                               
    
                            
    
                        
     
                        
	
    
		
    
		
    應(yīng)用案例
    
		
      
		
      CVD應(yīng)用——Graphene在任意襯底上的無催化生長
      CVD應(yīng)用——外延Graphene/BN異質(zhì)結(jié)與摩爾超晶格
      CVD應(yīng)用——Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展
      CVD應(yīng)用——Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展2
      CVD應(yīng)用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調(diào)控
      CVD應(yīng)用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調(diào)控2
      CVD應(yīng)用——外延構(gòu)筑各種MoS2范德華異質(zhì)結(jié)
      CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長
      CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長2
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