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    化學氣相沉積系統每一部工程作品都精雕細琢
    
    
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    等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
    
                        
    
                        
    多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統（CVD）是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術，主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離，促進化學反應在較低的溫度下進行，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。
    
                        
    服務電話：400-966-2800
    
						
    服務手機：15756003283(微信同號)
    
                        
    
                        
    
                        
     
                        
                                                
                        
                    
    
                
    
            
    

        
    
    
    
    
    

    



    

    
    
    
        
    
           
    
	  
     
    
		
    
			
    
                            
    
                            
    
                            
      多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統（CVD）是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術，主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離，促進化學反應在較低的溫度下進行，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。

      目前項目團隊自主研發的CVD設備可在多種襯底上（如金屬、氧化物、半導體表面）直接生長以石墨烯為代表的各類新型二維材料，用于新材料、新器件的研發。工藝簡單廉價，且具有傳統半導體生長工藝的兼容性。
      等離子體增強化學氣相沉積系統CVD等離子體增強化學氣相沉積系統技術參數
    
                            
    
                        
    
		
    
	
    
                        
    
                            
    
							
    
                            
      
							                               
    
                            
    
                        
     
                        
	
    
		
    
		
    應用案例
    
		
      
		
      CVD應用——Graphene在任意襯底上的無催化生長
      CVD應用——外延Graphene/BN異質結與摩爾超晶格
      CVD應用——Graphene的各向異性刻蝕技術發展
      CVD應用——Graphene的各向異性刻蝕技術發展2
      CVD應用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調控
      CVD應用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調控2
      CVD應用——外延構筑各種MoS2范德華異質結
      CVD應用——二/四英寸連續單層MoS2 的取向外延生長
      CVD應用——二/四英寸連續單層MoS2 的取向外延生長2
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