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掃描電鏡（SEM）可以提供多種類型的圖像，涵蓋不同的信息和樣品特征。根據(jù)掃描電鏡的工作原理和成像模式，常見的圖像類型包括：

1. 二次電子圖像（SEI - Secondary Electron Image）

成像原理：二次電子圖像是通過探測從樣品表面逸出的二次電子獲得的。二次電子是由高能電子束與樣品表面原子相互作用后釋放出來的低能電子。

特點：提供樣品表面的詳細形貌信息。

高分辨率，適用于觀察樣品的表面形貌、微觀結構、粗糙度等細節(jié)。

成像深度較淺，通常用于表面掃描。

對樣品表面形貌有很高的靈敏度。

應用：觀察材料的表面形態(tài)（如納米顆粒、微觀裂紋、表面粗糙度）。

觀察表面缺陷、微裂紋等。

2. 后向散射電子圖像（BSE - Backscattered Electron Image）

成像原理：后向散射電子圖像是通過探測從樣品表面反彈回來的高能電子（后向散射電子）獲得的。它反映了樣品的原子序數(shù)（Z）分布。

特點：顯示樣品的成分分布，例如高原子序數(shù)區(qū)域與低原子序數(shù)區(qū)域的對比。

對比度較高，可以區(qū)分不同材料或元素組成。

成像深度較深，適用于觀察樣品的整體結構。

圖像的亮度與元素的原子序數(shù)有關，較重元素（高原子序數(shù)）會反射更多的電子，因此在圖像中顯示得更亮。

應用：檢查材料的成分分布（例如金屬和非金屬區(qū)域的區(qū)分）。

觀察不同材料的相結構或不同元素的分布。

3. X射線能譜圖（EDS - Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）

成像原理：X射線能譜圖不是傳統(tǒng)的成像方式，但它通過分析從樣品中激發(fā)出來的X射線來提供元素的化學成分信息。掃描電鏡的電子束與樣品相互作用，導致元素發(fā)出特征X射線。

特點：用于元素分析，可以提供元素的定性和定量信息。

能夠識別并量化樣品中存在的各種元素（從硅到鈾）。

不同元素發(fā)出的X射線峰具有不同的能量，因此能夠區(qū)分不同的元素。

應用：確定樣品的化學成分，特別是金屬、礦物、復合材料等。

微區(qū)的元素分析，用于分析不同區(qū)域的化學成分差異。

4. 電子背散射衍射圖（EBSD - Electron Backscatter Diffraction）

成像原理：EBSD是通過電子束與晶體材料的晶面相互作用后，衍射出的電子束生成衍射圖案來分析晶體結構信息。

特點：提供材料的晶體學信息，例如晶體取向、晶粒邊界、相界等。

能夠顯示材料的晶粒尺寸、晶體取向和相位分布等信息。

可以進行晶界分析，幫助研究材料的宏觀結構。

應用：研究材料的晶粒結構和取向。

對材料的應力、變形和晶界進行分析。

5. 透射電子顯微鏡（TEM）圖像（結合FIB/SEM）

成像原理：掃描電鏡與聚焦離子束（FIB）聯(lián)用，可以制作超薄樣品以便進行透射電子顯微鏡（TEM）分析。FIB用于制作樣品薄片，掃描電鏡則用于觀察這些薄片的結構。

特點：結合FIB和SEM可以獲得細節(jié)豐富的結構信息，常用于高分辨率分析。

提供樣品的超微結構信息。

應用：觀察樣品的超微結構，分析晶體結構、缺陷等。

制作薄片以便TEM分析。

6. 三維成像（3D Imaging）

成像原理：掃描電鏡可以通過多個角度或深度的掃描數(shù)據(jù)進行重構，生成樣品的三維形貌。

特點：可以通過重復掃描不同深度的樣品，重建出三維圖像。

提供樣品的高度信息和深度信息，適用于復雜結構的分析。

應用：樣品表面及其結構的三維重建，特別適用于復雜的微觀結構分析。

7. 低真空成像

成像原理：低真空模式下，掃描電鏡可以在較低的真空環(huán)境中成像，適用于非導電樣品。

特點：無需對樣品進行金屬涂層，也可以成像。

可以觀察到濕度較高、易變形或不適合涂層的樣品。

應用：成像濕潤、軟性或非導電材料，如生物樣品、聚合物等。

以上就是澤攸科技小編分享的掃描電鏡能提供哪些類型的圖像。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢