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在掃描電鏡（SEM）成像中，電荷效應(yīng)主要出現(xiàn)在 非導(dǎo)電樣品或絕緣材料上，當(dāng)電子束照射時(shí)，入射電子不能及時(shí)泄放，就會(huì)在樣品表面積累電荷，導(dǎo)致圖像發(fā)白、漂移甚至局部失真。要減少電荷效應(yīng)，可以從以下幾個(gè)方面入手：

1. 樣品處理方法

導(dǎo)電鍍層：在樣品表面噴金、噴碳或?yàn)R射鉑，提高表面導(dǎo)電性，讓電荷及時(shí)泄放，是常用的辦法。

導(dǎo)電膠固定：用導(dǎo)電膠或?qū)щ娿~帶將樣品與樣品臺(tái)電氣連接，形成泄放通路。

切割或打磨：減小表面粗糙度，有時(shí)能幫助電子均勻分布，降低局部電荷堆積。

2. 儀器參數(shù)優(yōu)化

降低加速電壓：高電壓下入射電子穿透深，容易堆積，低電壓成像能減少電荷積累。

減小束流：降低探針電流，減少注入電子數(shù)量，從源頭減輕電荷效應(yīng)。

增加掃描速度：加快掃描，避免在某一區(qū)域長時(shí)間停留。

使用環(huán)境掃描電鏡（ESEM）：在低真空或氣體環(huán)境下，電離氣體幫助中和樣品電荷。

3. 外加中和措施

電子/離子中和器：噴射低能電子或離子流中和表面電荷，常用于 FIB-SEM 或 ESEM 系統(tǒng)。

環(huán)境濕度控制：在低真空下適度引入水蒸氣分子，讓其電離后帶電粒子中和電荷。

4. 成像策略

選擇二次電子像和背散射像結(jié)合：二次電子像更容易受電荷效應(yīng)干擾，必要時(shí)用背散射電子像補(bǔ)充。

逐步優(yōu)化焦距和工作距離：電荷效應(yīng)可能導(dǎo)致圖像漂移，分步調(diào)整可避免強(qiáng)烈失真。