非導電樣品如何在掃描電鏡中成像？

非導電樣品在掃描電鏡（SEM）中成像時會面臨一個主要問題：電荷積累（charging）。因為電子束轟擊非導體后，電子無法迅速導出，導致樣品表面積累負電荷，從而產生圖像漂移、亮度不均甚至成像失敗。

掃描電鏡的Z方向調節對焦有何技巧？

掃描電鏡（SEM）中，Z方向調節即樣品臺的上下移動，直接影響樣品表面與電子槍之間的工作距離（WD, working distance），對焦的準確性和成像質量高度依賴這個參數。

掃描電鏡（SEM）工作時對真空度要求較高，若真空度不夠（即腔室壓力偏高），會對成像質量和設備運行產生一系列不良影響。

樣品表面污染會顯著影響掃描電鏡（SEM）成像質量，具體表現和影響如下：

使用掃描電鏡（SEM）觀察樣品在某些情況下確實可能造成樣品損傷。這種損傷取決于樣品的材質、電導率、結構穩定性、電子束參數等。

掃描電鏡（SEM）成像過程中出現的偽影（artifact）是影響圖像質量和判讀準確性的重要問題。

在掃描電子顯微鏡（SEM）中，掃描速度指的是電子束在樣品表面每個像素上停留的時間，通常通過設置“幀時間”或“像素駐留時間”來調節。

掃描電鏡（SEM）中的“電荷積聚”（Charging）現象是指非導電樣品在電子束照射下無法及時釋放電荷，導致電子在樣品表面積累。